近期，北方華創(chuàng)12英寸高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備Scaler HK430實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，獲得批量訂單，市占率不斷攀升，贏得客戶信任。這標志著北方華創(chuàng)CVD（化學氣相沉積）先進工藝設(shè)備解決方案的成功應(yīng)用，為華創(chuàng)進一步拓寬高端設(shè)備賽道注入新的動力。
為了突破晶體管尺寸微縮的工藝瓶頸，業(yè)界采用新型High-K材料HfO2（氧化鉿）作為柵介質(zhì)層，結(jié)合金屬柵極技術(shù)，研發(fā)出HKMG(High-K/Metal Gate高介電常數(shù)/金屬柵極)工藝。該工藝在45nm及以下節(jié)點占據(jù)核心地位，CVD/ALD（原子層沉積）工藝設(shè)備成為HKMG工藝的重要支撐。北方華創(chuàng)憑借多年的原子層沉積技術(shù)積累，創(chuàng)新推出12英寸高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備Scaler HK430，憑借領(lǐng)先的性能優(yōu)勢、產(chǎn)能優(yōu)勢，以及應(yīng)用于國內(nèi)12英寸主流Fab（半導體制造）廠的實踐經(jīng)驗，成為國內(nèi)HiK量產(chǎn)生產(chǎn)線的主力機臺。
未來，北方華創(chuàng)將矢志不渝地加快科技創(chuàng)新的實踐步伐，不斷推進CVD先進工藝設(shè)備的布局研發(fā)，為半導體行業(yè)的多元化技術(shù)需求提供更為高效的解決方案，推動半導體裝備制造技術(shù)的發(fā)展邁向新高度。
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